8月18日，苏州锴威特半导体股份有限公司（证券简称：锴威特，股票代码：688693）正式登陆科创板，发行价格为40.83元/股，开盘股票大涨超95%，截至发稿实时股价为79.65元/股，总市值达58.69亿元。
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资料显示，锴威特成立于2015年1月22日，主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务，主要产品包含功率器件及功率IC两大类，产品广泛应用于消费电子、工业控制及新能源汽车、光伏能源、轨道交通、智能电网等高可靠领域。
历经8年发展，锴威特产品已进入晶丰明源、必易微、芯朋微、灿瑞科技为代表的芯片设计公司及多家高可靠领域客户供应链，并且产品已被小米、美的、昕诺飞、上能电气、威胜集团等知名客户所采用。结合芯谋研究和Omdia数据测算，2021年锴威特平面MOSFET国内市场占有率约为1.26%；江苏省半导体行业协会统计数据也显示，同年其FRMOS市场份额位列本土企业第四位，是国内功率半导体产品的重要供应商之一。
研发投入力度领先可比公司
功率半导体的应用十分广阔，涉及电路控制和电能转换的产品均离不开功率半导体的使用。根据Omdia的数据及预测，2021年全球功率半导体市场规模为462亿美元，预计2024年将达到522亿美元。其中，中国是全球最大的功率半导体市场，2021年市场规模为182亿美元，预计2024年将达206亿美元。不过CCID数据显示，我国功率器件市场中，接近90%的产品依赖进口。
近年来，地缘政治影响持续，包括功率半导体在内的科技产业加速了自主可控发展进程，在此背景下，锴威特自成立以来始终坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展定位，积极推进功率器件、功率IC以及第三代半导体的国产化发展。
为加速构建护城河，锴威特高度重视研发投入，招股书显示，2020年-2022年，锴威特的研发投入分别为1388.55万元、1886.27万元、2271.95万元，占营收比重分别为10.14%、8.99%、9.65%，始终处于高位水平，且高于招股书披露的同业可比上市公司。
在持续高研发投入力度支持下，锴威特快速构建起自己的核心技术体系，截至 2023 年 7 月 13 日，锴威特已积累10项核心技术，取得71项授权专利（其中发明专利28项）和53项集成电路布图设计专有权。
其中，在功率器件方面，锴威特积累了包括“高可靠性元胞结构”“新型复合终端结构及实现工艺技术”“一种利用Power MOS管实现高压快速启动的AC-DC开关电源的实现方法”等多项核心技术，其中3项达到国际先进水平，1项达国内领先水平，使公司产品关键技术指标达到了与国际领先厂商同类产品的水平。
在功率IC方面，锴威特基于晶圆代工厂0.5um 600V SOI BCD和0.18um 40V BCD等工艺自主搭建了设计平台；锴威特还与晶圆代工厂进行深度合作，可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程，进一步优化产品性能。
同时，锴威特自主研发的“一种全电压范围多基准电压同步调整电路及高精准过压保护电路”“一种输入失调电压自动修正电路”等核心技术，有效提升了产品参数一致性，增强了产品可靠性。
如上核心技术，为锴威特构建自己的核心竞争力以及市场开拓奠定了坚实基础，而且，凭借掌握的核心技术，也加速了锴威特对新产品、新技术的创新与应用。
丰富产品矩阵拉动业绩快速增长
招股说明书注册稿披露，目前锴威特已形成包括平面MOSFET、功率IC等700余款产品，很好满足市场不同应用需求。
在功率器件方面，锴威特产品以高压平面MOSFET为主，并在平面MOSFET工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压功率MOSFET（FRMOS）系列产品，其中，平面MOSFET产品覆盖40V-1500V电压段，已形成较为齐全的产品系列，拥有近500款不同规格的产品。
锴威特MOSFET产品同时在向沟槽型MOSFET和超结MOSFET进行延伸，目前沟槽型MOSFET已形成30V-150V电压规格的产品系列，超结MOSFET已形成600V-800V电压规格的产品系列。
在功率IC方面，锴威特产品主要包括PWM控制IC和栅极驱动IC，已形成80余款功率IC产品，并完成了多款功率IC所需的IP设计与验证，产品具有集成度高、可靠性高、工作频率高、工作电压范围宽、功耗低、工作温度范围宽（-55℃-125℃）等特点。
此外，在第三代半导体方面，目前锴威特SiC MOSFET已形成650V-1700V四个电压规格的产品系列，SiC SBD已形成650V-1200V电压规格的产品系列，是国内为数不多的具备650V-1700V SiC MOSFET设计能力的企业之一，相关产品已实现小批量出货。
凭借丰富的产品矩阵、高性能的产品和及时迅速的服务能力，锴威特合作客户超过300家，产品已在5G通信、消费电子、智能家居、工业控制、人工智能、光伏和新能源汽车等领域获得广泛应用，业绩也随之水涨船高。
招股说明书显示，2020年-2022年，锴威特营业收入分别为1.37亿元、2.1亿元、2.35亿元，最近三年营业收入的复合增长率为31.09%；未来随着市场需求的进一步释放，锴威特的业绩仍将进一步快速拉升。
加码三大功率半导体项目建设
近年来，随着工业4.0、新能源汽车、光伏能源、轨道交通、智能电网等新兴行业的快速发展，功率器件市场需求激增，锴威特紧抓市场新机遇，在保持原有领先优势基础上，加速核心技术创新以及产品迭代，以适应新的市场需求，同时助力高性能功率器件、功率IC的国产化替代以及自主可控。
为此，锴威特本次登陆科创板募集所得资金，将用于投建智能功率半导体研发升级项目、SiC功率器件研发升级项目、功率半导体研发工程中心升级项目以及补充流动资金。
其中，“智能功率半导体研发升级项目”旨在继续加强锴威特在功率器件、功率IC、IPM、光继电器（Photo MOS）产品的领先优势，挖掘高性能智能功率半导体的发展潜力，打造全系列产品的技术创新平台，致力于成为市场一流的高性能、智能化功率半导体供应商。
目前锴威特已掌握了SiC功率器件核心技术，完成了代表产品的研制，并已初步实现了市场布局，通过“SiC功率器件研发升级项目”，锴威特将加速650V-1700V SiC MOSFET、650V-1700V SiC SBD工艺优化、器件升级及SiC功率模块的规模化量产，从而实现将原有业务的延展和深化。
基于现有技术的前瞻性布局，锴威特同时启动“功率半导体研发工程中心升级项目”，持续对功率器件和模块封装可靠性、SiC高温封装、应用、基于SiC MOSFET制作光继电器（Photo MOS）以及数字电源进行深入研究，既推动公司现有产品的优化升级，提升公司产品附加值；也推动研发成果转化，有助于丰富公司的产品种类，开拓新的产品应用领域，增强公司的盈利能力。同时，募投项目还将有助于锴威特实现张家港、无锡和西安一体两翼的研发协同机制布局。
值得注意的是，通过募投项目，锴威特技术及产品实力将得到全面增强，产品应用领域也将加速向新能源汽车、工业控制、智能电网、储能、轨道交通等高可靠领域延伸，有助于锴威特开拓更多高端客户群，实现业务纵深，进而带动业绩持续成长。
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